半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
5期
568-572
,共5页
刘奎伟%韩郑生%钱鹤%陈则瑞%于洋%仙文岭%饶竞时
劉奎偉%韓鄭生%錢鶴%陳則瑞%于洋%仙文嶺%饒競時
류규위%한정생%전학%진칙서%우양%선문령%요경시
0.5μm%高压CMOS%高低压兼容%CMOS工艺%驱动电路
0.5μm%高壓CMOS%高低壓兼容%CMOS工藝%驅動電路
0.5μm%고압CMOS%고저압겸용%CMOS공예%구동전로
研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.
研製瞭與0.5μm標準CMOS工藝完全兼容的薄柵氧高壓CMOS器件.提齣瞭具體的工藝製作流程-在標準工藝的基礎上添加兩次光刻和四次離子註入工程,併成功進行瞭流片試驗.測試結果顯示,高壓NMOS耐壓達到98V,高壓PMOS耐壓達到-66V.此結構的高壓CMOS器件適用于耐壓要求小于60V的驅動電路.
연제료여0.5μm표준CMOS공예완전겸용적박책양고압CMOS기건.제출료구체적공예제작류정-재표준공예적기출상첨가량차광각화사차리자주입공정,병성공진행료류편시험.측시결과현시,고압NMOS내압체도98V,고압PMOS내압체도-66V.차결구적고압CMOS기건괄용우내압요구소우60V적구동전로.
