昆明理工大学学报（理工版）
昆明理工大學學報（理工版）
곤명리공대학학보（리공판）
JOURNAL OF KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY（SCIENCE AND TECHNOLOGY）
2006年
3期
12-14,18
,共4页
彭巨擘%王建禄%李丽萍%普朝光%蔡毅%张鹏翔
彭巨擘%王建祿%李麗萍%普朝光%蔡毅%張鵬翔
팽거벽%왕건록%리려평%보조광%채의%장붕상
脉冲激光沉积法(PLD)%电阻率%钙钛矿氧化物
脈遲激光沉積法(PLD)%電阻率%鈣鈦礦氧化物
맥충격광침적법(PLD)%전조솔%개태광양화물
用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaAlO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaAlO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaAlO3的晶格常数与La0.5 Sr0.5 CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5 Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.
用脈遲激光沉積法(PLD)分彆在Si(100),SiO2/Si(100),LaAlO3襯底上製備瞭La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaAlO3襯底上實現瞭La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生長,薄膜的電阻率最低.這是由于LaAlO3的晶格常數與La0.5 Sr0.5 CoO3最為接近.在SiO2/Si(100)襯底上生長的La0.5 Sr0.5CoO3薄膜的電阻較Si(100)襯底上薄膜小,XRD錶明SiO2/Si(100)襯底更易于薄膜的擇優生長.
용맥충격광침적법(PLD)분별재Si(100),SiO2/Si(100),LaAlO3츤저상제비료La0.5Sr0.5CoO3박막.재LaAlO3츤저상실현료La0.5Sr0.5CoO3박막적근외연생장,박막적전조솔최저.저시유우LaAlO3적정격상수여La0.5 Sr0.5 CoO3최위접근.재SiO2/Si(100)츤저상생장적La0.5 Sr0.5CoO3박막적전조교Si(100)츤저상박막소,XRD표명SiO2/Si(100)츤저경역우박막적택우생장.
