半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
4期
528-530
,共3页
林飞燕%秦娟%徐环%史伟民%魏光普
林飛燕%秦娟%徐環%史偉民%魏光普
림비연%진연%서배%사위민%위광보
铜铟硒%薄膜太阳电池%真空蒸发法%硒化法
銅銦硒%薄膜太暘電池%真空蒸髮法%硒化法
동인서%박막태양전지%진공증발법%서화법
采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征.结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5 μm和约1 μm.组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS.硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如β-In2Se3等.因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料.
採用真空順序蒸髮銅銦金屬預置層後真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元疊層蒸髮後氮氣氣氛退火的方法(疊層法)分彆製備瞭太暘電池吸收層材料CuInSe2薄膜.通過X射線衍射、掃描電子顯微鏡、能量色散X射線分析技術等分析手段對薄膜進行瞭錶徵.結果錶明:兩種方法製備的薄膜形貌都比較緻密均勻,晶粒直徑分彆約1.5 μm和約1 μm.組分分析錶明所製薄膜均為富銅CIS.硒化法製備的CIS薄膜具有單一的黃銅礦相結構;而疊層法製備的薄膜含有少量雜相,如β-In2Se3等.因此硒化法製備的薄膜更適于作為太暘能吸收層材料.
채용진공순서증발동인금속예치층후진공서화퇴화적방법(서화법),이급진공삼원첩층증발후담기기분퇴화적방법(첩층법)분별제비료태양전지흡수층재료CuInSe2박막.통과X사선연사、소묘전자현미경、능량색산X사선분석기술등분석수단대박막진행료표정.결과표명:량충방법제비적박막형모도비교치밀균균,정립직경분별약1.5 μm화약1 μm.조분분석표명소제박막균위부동CIS.서화법제비적CIS박막구유단일적황동광상결구;이첩층법제비적박막함유소량잡상,여β-In2Se3등.인차서화법제비적박막경괄우작위태양능흡수층재료.
