微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
9期
530-534,539
,共6页
甄恩明%徐刚%苗蕾%徐雪青
甄恩明%徐剛%苗蕾%徐雪青
견은명%서강%묘뢰%서설청
溶胶-凝胶法%纳米五氧化二钒薄膜%高c轴生长取向%二乙酰丙酮氧钒%非晶衬底
溶膠-凝膠法%納米五氧化二釩薄膜%高c軸生長取嚮%二乙酰丙酮氧釩%非晶襯底
용효-응효법%납미오양화이범박막%고c축생장취향%이을선병동양범%비정츤저
采用溶胶-凝胶法,以二乙酰丙酮氧钒(VO(C5H7O2)2)为前驱物,通过提拉方式,在预镀非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上制备多晶纳米五氧化二钒(V2O5)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见-近红外光谱等表征手段对不同热处理条件下的样品进行了结构和光学性能分析.结果表明,热处理温度在350～550℃,无论是在空气中还是在氧分压为0.1 Pa的氮气中,均能得到高c轴取向生长的纳米V2O5薄膜,结晶性能良好,晶粒尺寸分布在21～45 nm,样品在810 cm-1和1 026 cm-1附近存在对应于5价钒氧化物的红外吸收峰,在500 nm出现强烈的带间吸收.与现有的溶胶-凝胶法相比,本实验选用的VO(C5H7O2)2是制备高c轴生长、结晶性好的纳米V2O5薄膜的理想前驱物.
採用溶膠-凝膠法,以二乙酰丙酮氧釩(VO(C5H7O2)2)為前驅物,通過提拉方式,在預鍍非晶SiO2薄膜的硼硅玻璃上製備多晶納米五氧化二釩(V2O5)薄膜.通過X射線衍射、傅裏葉變換紅外吸收光譜、紫外-可見-近紅外光譜等錶徵手段對不同熱處理條件下的樣品進行瞭結構和光學性能分析.結果錶明,熱處理溫度在350～550℃,無論是在空氣中還是在氧分壓為0.1 Pa的氮氣中,均能得到高c軸取嚮生長的納米V2O5薄膜,結晶性能良好,晶粒呎吋分佈在21～45 nm,樣品在810 cm-1和1 026 cm-1附近存在對應于5價釩氧化物的紅外吸收峰,在500 nm齣現彊烈的帶間吸收.與現有的溶膠-凝膠法相比,本實驗選用的VO(C5H7O2)2是製備高c軸生長、結晶性好的納米V2O5薄膜的理想前驅物.
채용용효-응효법,이이을선병동양범(VO(C5H7O2)2)위전구물,통과제랍방식,재예도비정SiO2박막적붕규파리상제비다정납미오양화이범(V2O5)박막.통과X사선연사、부리협변환홍외흡수광보、자외-가견-근홍외광보등표정수단대불동열처리조건하적양품진행료결구화광학성능분석.결과표명,열처리온도재350～550℃,무론시재공기중환시재양분압위0.1 Pa적담기중,균능득도고c축취향생장적납미V2O5박막,결정성능량호,정립척촌분포재21～45 nm,양품재810 cm-1화1 026 cm-1부근존재대응우5개범양화물적홍외흡수봉,재500 nm출현강렬적대간흡수.여현유적용효-응효법상비,본실험선용적VO(C5H7O2)2시제비고c축생장、결정성호적납미V2O5박막적이상전구물.
