功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2011年
z4期
599-603
,共5页
梁建%赵丹%赵君芙%马淑芳%邵桂雪%许并社
樑建%趙丹%趙君芙%馬淑芳%邵桂雪%許併社
량건%조단%조군부%마숙방%소계설%허병사
GaN%薄膜%金属缓冲层
GaN%薄膜%金屬緩遲層
GaN%박막%금속완충층
为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入A1、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了结构、成分、形貌和发光性能分析,结果表明,生成物均为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,但其形貌和发光性能各异.在加入金属缓冲层后,GaN薄膜的致密度和结晶性能均提高,而且其生长取向随之发生了显著变化,光强度也有所增强.最后,对在不同缓冲层上GaN薄膜的生长机理进行了初步探讨.
為瞭解決硅襯底與GaN之間的晶格失配和熱失配問題,實驗嘗試採用常壓化學氣相沉積法(APCVD),分彆以金屬鎵(Ga)和氨氣(NH3)為鎵源和氮源,在加入A1、Au/Al兩種金屬緩遲層和不加緩遲層的硅襯底上生長氮化鎵(GaN)薄膜.採用高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、X-ray能譜儀(EDS)、場髮射掃描電子顯微鏡(FESEM)和光緻髮光能譜(PL)對樣品進行瞭結構、成分、形貌和髮光性能分析,結果錶明,生成物均為六方纖鋅礦結構的GaN多晶薄膜,但其形貌和髮光性能各異.在加入金屬緩遲層後,GaN薄膜的緻密度和結晶性能均提高,而且其生長取嚮隨之髮生瞭顯著變化,光彊度也有所增彊.最後,對在不同緩遲層上GaN薄膜的生長機理進行瞭初步探討.
위료해결규츤저여GaN지간적정격실배화열실배문제,실험상시채용상압화학기상침적법(APCVD),분별이금속가(Ga)화안기(NH3)위가원화담원,재가입A1、Au/Al량충금속완충층화불가완충층적규츤저상생장담화가(GaN)박막.채용고분변X사선연사의(HRXRD)、X-ray능보의(EDS)、장발사소묘전자현미경(FESEM)화광치발광능보(PL)대양품진행료결구、성분、형모화발광성능분석,결과표명,생성물균위륙방섬자광결구적GaN다정박막,단기형모화발광성능각이.재가입금속완충층후,GaN박막적치밀도화결정성능균제고,이차기생장취향수지발생료현저변화,광강도야유소증강.최후,대재불동완충층상GaN박막적생장궤리진행료초보탐토.
