微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
5期
766-769
,共4页
林丽娟%喻钊%韩山明%蒋苓利%张波
林麗娟%喻釗%韓山明%蔣苓利%張波
림려연%유쇠%한산명%장령리%장파
ESD%高压器件%衬底寄生电阻
ESD%高壓器件%襯底寄生電阻
ESD%고압기건%츤저기생전조
随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视.从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35 μm BCD工艺下进行流片试验.测试结果表明,优化衬底电阻可以有效地提高器件的ESD泄放能力,最优结构的二次击穿电流由原始器件的0.75A增大到3.3A.
隨著高壓集成電路的廣汎應用,高壓器件的ESD性能越來越受廣大設計者的重視.從理論上分析瞭襯底寄生電阻對高壓LDMOS器件ESD特性的影響,採用幾種結構,對上述參數進行優化,併在0.35 μm BCD工藝下進行流片試驗.測試結果錶明,優化襯底電阻可以有效地提高器件的ESD洩放能力,最優結構的二次擊穿電流由原始器件的0.75A增大到3.3A.
수착고압집성전로적엄범응용,고압기건적ESD성능월래월수엄대설계자적중시.종이론상분석료츤저기생전조대고압LDMOS기건ESD특성적영향,채용궤충결구,대상술삼수진행우화,병재0.35 μm BCD공예하진행류편시험.측시결과표명,우화츤저전조가이유효지제고기건적ESD설방능력,최우결구적이차격천전류유원시기건적0.75A증대도3.3A.
