固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
4期
345-349
,共5页
结终端%场限环%沟槽%负斜角
結終耑%場限環%溝槽%負斜角
결종단%장한배%구조%부사각
对常用的场限环(FLR)和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法.基于GTR台面终端结构,在功率MOSFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构.利用1SE软件对其耐压机理和击穿特性进行了模拟与分析.结果表明,采用沟槽负斜角终端结构会使功率MOSFET的耐压达到其平行平面结击穿电压的92.6％,而所占的终端尺寸仅为场限环的80％.
對常用的場限環(FLR)和正、負斜角終耑結構的耐壓機理進行瞭簡要分析,討論瞭其結構參數的優化方法.基于GTR檯麵終耑結構,在功率MOSFET中引入瞭一種類似的溝槽負斜角終耑結構.利用1SE軟件對其耐壓機理和擊穿特性進行瞭模擬與分析.結果錶明,採用溝槽負斜角終耑結構會使功率MOSFET的耐壓達到其平行平麵結擊穿電壓的92.6％,而所佔的終耑呎吋僅為場限環的80％.
대상용적장한배(FLR)화정、부사각종단결구적내압궤리진행료간요분석,토론료기결구삼수적우화방법.기우GTR태면종단결구,재공솔MOSFET중인입료일충유사적구조부사각종단결구.이용1SE연건대기내압궤리화격천특성진행료모의여분석.결과표명,채용구조부사각종단결구회사공솔MOSFET적내압체도기평행평면결격천전압적92.6％,이소점적종단척촌부위장한배적80％.
