材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
14期
43-46
,共4页
陈海力%沈鸿烈%唐正霞%杨超%江丰
陳海力%瀋鴻烈%唐正霞%楊超%江豐
진해력%침홍렬%당정하%양초%강봉
铝诱导晶化%多晶硅薄膜%磁控溅射%真空热蒸发
鋁誘導晶化%多晶硅薄膜%磁控濺射%真空熱蒸髮
려유도정화%다정규박막%자공천사%진공열증발
采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响.结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(～100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快.
採用真空熱蒸髮和磁控濺射兩種方法沉積鋁膜,通過對Glass/Si/SiO2/Al疊層結構進行鋁誘導晶化(AIC)製備多晶硅薄膜.採用X射線衍射譜(XRD)、光學顯微鏡和拉曼光譜對樣品進行分析,研究兩種鋁膜沉積工藝對AIC法製備多晶硅性能的影響.結果錶明,採用兩種方法沉積的鋁膜均能誘導齣(111)高度擇優取嚮的大晶粒呎吋(～100μm)的多晶硅薄膜,但與磁控濺射沉積相比,真空熱蒸髮沉積的鋁膜誘導齣的多晶硅薄膜應力更小、結晶質量更高,且晶化速率更快.
채용진공열증발화자공천사량충방법침적려막,통과대Glass/Si/SiO2/Al첩층결구진행려유도정화(AIC)제비다정규박막.채용X사선연사보(XRD)、광학현미경화랍만광보대양품진행분석,연구량충려막침적공예대AIC법제비다정규성능적영향.결과표명,채용량충방법침적적려막균능유도출(111)고도택우취향적대정립척촌(～100μm)적다정규박막,단여자공천사침적상비,진공열증발침적적려막유도출적다정규박막응력경소、결정질량경고,차정화속솔경쾌.
