电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
6期
36-39
,共4页
李贺%顾德恩%王涛%吴志明%蒋亚东
李賀%顧德恩%王濤%吳誌明%蔣亞東
리하%고덕은%왕도%오지명%장아동
反应溅射%椭偏仪%氧化钒薄膜%掺氮
反應濺射%橢偏儀%氧化釩薄膜%摻氮
반응천사%타편의%양화범박막%참담
利用反应溅射法,在Si(100)衬底上沉积了掺N氧化钒薄膜.借用SE850椭偏仪对薄膜进行了近红外波段(1300-2300 nm)的光谱测量,运用Tauc-Lorentz模型对薄膜的椭偏光谱数据进行了拟合,并计算了薄膜的光学参数(n,k)和厚度.结果表明:随着掺N量的增加,氧化钒薄膜的光学参数(n,k)随之增加,而其沉积速率则随之降低.这可能源于掺N增加了薄膜的致密度,同时减小了氧化钒的光学带隙.
利用反應濺射法,在Si(100)襯底上沉積瞭摻N氧化釩薄膜.藉用SE850橢偏儀對薄膜進行瞭近紅外波段(1300-2300 nm)的光譜測量,運用Tauc-Lorentz模型對薄膜的橢偏光譜數據進行瞭擬閤,併計算瞭薄膜的光學參數(n,k)和厚度.結果錶明:隨著摻N量的增加,氧化釩薄膜的光學參數(n,k)隨之增加,而其沉積速率則隨之降低.這可能源于摻N增加瞭薄膜的緻密度,同時減小瞭氧化釩的光學帶隙.
이용반응천사법,재Si(100)츤저상침적료참N양화범박막.차용SE850타편의대박막진행료근홍외파단(1300-2300 nm)적광보측량,운용Tauc-Lorentz모형대박막적타편광보수거진행료의합,병계산료박막적광학삼수(n,k)화후도.결과표명:수착참N량적증가,양화범박막적광학삼수(n,k)수지증가,이기침적속솔칙수지강저.저가능원우참N증가료박막적치밀도,동시감소료양화범적광학대극.
