CAJ | 학술논문

使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响.仿真结果表明,驱动比由2(电路1)增加到3(电路2),效率提高10%.工艺上分别实现了两种电路,测试表明,效率由25%(电路1)提高到30%(电路2),验证了仿真结果.电路2在测试频率为8-10 GHz时,脉冲输出功率大于21 W,增益大于15 dB,效率大于35%;频率为8 GHz时,输出功率最大值为25 W,效率最大值为45%,具有较好的性能.
사용국산SiC츤저적GaN HEMT외연재료실현료대공솔、고효솔적GaN HEMT기건,건립료대신호모형,이용ADS연건건립료GaN MMIC적탁복,방진료구동비대전로성능적영향.방진결과표명,구동비유2(전로1)증가도3(전로2),효솔제고10%.공예상분별실현료량충전로,측시표명,효솔유25%(전로1)제고도30%(전로2),험증료방진결과.전로2재측시빈솔위8-10 GHz시,맥충수출공솔대우21 W,증익대우15 dB,효솔대우35%;빈솔위8 GHz시,수출공솔최대치위25 W,효솔최대치위45%,구유교호적성능.