金刚石与磨料磨具工程
金剛石與磨料磨具工程
금강석여마료마구공정
DIAMOND & ABRASIVES ENGINNERING
2009年
5期
78-81
,共4页
粒度%碳化硅%氧化
粒度%碳化硅%氧化
립도%탄화규%양화
本文用热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了两种不同粒度(0.28～104.71 μm,39.81～954.99 μm)的碳化硅粉体在20~1 400 ℃温度范围内非等温氧化的特性,结果表明:(1)粒度较小的1#试样的比表面积是2#试样的20多倍,1#试样氧化开始温度为560 ℃,而2#试样的氧化开始温度为870 ℃,1#试样在1 400 ℃的氧化增重率为2.36%,2#试样的增重率为1.14%.这表明在相同实验条件下,碳化硅粒度越小,活性越高,氧化程度越高.(2)粒度较小的碳化硅氧化产物为方石英.(3)SEM表明SiC表面生成SiO2保护膜可封闭部分气孔,阻止O2向内扩散,为保护性氧化.
本文用熱重分析儀、X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡(SEM)研究瞭兩種不同粒度(0.28～104.71 μm,39.81～954.99 μm)的碳化硅粉體在20~1 400 ℃溫度範圍內非等溫氧化的特性,結果錶明:(1)粒度較小的1#試樣的比錶麵積是2#試樣的20多倍,1#試樣氧化開始溫度為560 ℃,而2#試樣的氧化開始溫度為870 ℃,1#試樣在1 400 ℃的氧化增重率為2.36%,2#試樣的增重率為1.14%.這錶明在相同實驗條件下,碳化硅粒度越小,活性越高,氧化程度越高.(2)粒度較小的碳化硅氧化產物為方石英.(3)SEM錶明SiC錶麵生成SiO2保護膜可封閉部分氣孔,阻止O2嚮內擴散,為保護性氧化.
본문용열중분석의、X사선연사의화소묘전자현미경(SEM)연구료량충불동립도(0.28～104.71 μm,39.81～954.99 μm)적탄화규분체재20~1 400 ℃온도범위내비등온양화적특성,결과표명:(1)립도교소적1#시양적비표면적시2#시양적20다배,1#시양양화개시온도위560 ℃,이2#시양적양화개시온도위870 ℃,1#시양재1 400 ℃적양화증중솔위2.36%,2#시양적증중솔위1.14%.저표명재상동실험조건하,탄화규립도월소,활성월고,양화정도월고.(2)립도교소적탄화규양화산물위방석영.(3)SEM표명SiC표면생성SiO2보호막가봉폐부분기공,조지O2향내확산,위보호성양화.
