基于腔面非注入技术的大功率半导体激光器
기우강면비주입기술적대공솔반도체격광기
High Power Laser Diode with Non-Injection Regions Near the Facet
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2009年 5期 270-273 ,共4页

    张世祖%杨红伟%花吉珍%陈宏泰%陈玉娟%家秀云%徐会武%沈牧

    장세조%양홍위%화길진%진굉태%진옥연%가수운%서회무%침목

    电流非注入区%808nm半导体激光器%灾变性光学损伤%非辐射复合 電流非註入區%808nm半導體激光器%災變性光學損傷%非輻射複閤
    전류비주입구%808nm반도체격광기%재변성광학손상%비복사복합
    采用腔面电流非注入技术,提高了808 nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值.通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入.载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值.应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7 W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1 W.同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%.
    채용강면전류비주입기술,제고료808 nm반도체격광기재변성광학손상(COD)역치.통과부식GaAs고참잡층적방법,재반도체격광기강면부근형성전류비주입구,이차래감소강면처적재류자주입.재류자주입수평적강저,감소료강면처비복사복합적발생,인이제고료격광기적재변성광학손상역치.응용전류비주입기술제작적기건적최대수출공솔체도3.7 W;이응용상규공예제작적기건적최대수출공솔위3.1 W.동상규공예상비,채용해기술사기건적최대수출공솔제고료근20%.
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