南京理工大学学报（自然科学版）
南京理工大學學報（自然科學版）
남경리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
5期
599-603
,共5页
电子倍增电荷耦合器件%多针相模式%界面态%暗电流
電子倍增電荷耦閤器件%多針相模式%界麵態%暗電流
전자배증전하우합기건%다침상모식%계면태%암전류
针对微光条件下,电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)的暗电流噪声将会随信号一起在倍增寄存器中放大,信号仍会湮没于噪声中.该文提出将多针相(MPP)模式引入EMCCD,通过在栅极上加较大的负偏压,使得空穴填充Si-SiO2界面态,抑制电子的跃迁和传导,以减小暗电流的产生率.研究结果表明,T=300 K时,MPP模式下EMCCD的暗电流值为0.021 3 nA/cm2,而非MPP模式下EMCCD表面暗电流稳态值为1.79 nA/cm2.说明MPP模式的引入极大地降低了EMCCD的暗电流水平,同时提高了整个微光成像系统的探测灵敏度和信噪比.
針對微光條件下,電子倍增電荷耦閤器件(EMCCD)的暗電流譟聲將會隨信號一起在倍增寄存器中放大,信號仍會湮沒于譟聲中.該文提齣將多針相(MPP)模式引入EMCCD,通過在柵極上加較大的負偏壓,使得空穴填充Si-SiO2界麵態,抑製電子的躍遷和傳導,以減小暗電流的產生率.研究結果錶明,T=300 K時,MPP模式下EMCCD的暗電流值為0.021 3 nA/cm2,而非MPP模式下EMCCD錶麵暗電流穩態值為1.79 nA/cm2.說明MPP模式的引入極大地降低瞭EMCCD的暗電流水平,同時提高瞭整箇微光成像繫統的探測靈敏度和信譟比.
침대미광조건하,전자배증전하우합기건(EMCCD)적암전류조성장회수신호일기재배증기존기중방대,신호잉회인몰우조성중.해문제출장다침상(MPP)모식인입EMCCD,통과재책겁상가교대적부편압,사득공혈전충Si-SiO2계면태,억제전자적약천화전도,이감소암전류적산생솔.연구결과표명,T=300 K시,MPP모식하EMCCD적암전류치위0.021 3 nA/cm2,이비MPP모식하EMCCD표면암전류은태치위1.79 nA/cm2.설명MPP모식적인입겁대지강저료EMCCD적암전류수평,동시제고료정개미광성상계통적탐측령민도화신조비.
