过程工程学报
過程工程學報
과정공정학보
The Chinese Journal of Process Engineering
2008年
5期
937-940
,共4页
陈智涛%韩明汉%魏飞%金涌
陳智濤%韓明漢%魏飛%金湧
진지도%한명한%위비%금용
Deacon过程%HC1%氯%催化氧化
Deacon過程%HC1%氯%催化氧化
Deacon과정%HC1%록%최화양화
通过对HCI氧化制C12的Deacon过程的热力学和动力学分析以及实验研究,得到了HC1催化氧化制C12过程的优化工艺条件,即进料HC1/O2摩尔比为4、HC1质量空速为0.45h-1、反应温度为450℃、常压,在此条件下HC1和O2的转化率均为65%,产物中C12干基含量为78.8%,O2干基含量为21.2%.
通過對HCI氧化製C12的Deacon過程的熱力學和動力學分析以及實驗研究,得到瞭HC1催化氧化製C12過程的優化工藝條件,即進料HC1/O2摩爾比為4、HC1質量空速為0.45h-1、反應溫度為450℃、常壓,在此條件下HC1和O2的轉化率均為65%,產物中C12榦基含量為78.8%,O2榦基含量為21.2%.
통과대HCI양화제C12적Deacon과정적열역학화동역학분석이급실험연구,득도료HC1최화양화제C12과정적우화공예조건,즉진료HC1/O2마이비위4、HC1질량공속위0.45h-1、반응온도위450℃、상압,재차조건하HC1화O2적전화솔균위65%,산물중C12간기함량위78.8%,O2간기함량위21.2%.
