光学仪器
光學儀器
광학의기
OPTICAL INSTRUMENTS
2008年
3期
55-59
,共5页
朱继国%柴卫平%王华林%张树旺%刘世民%张粲%汪亚辉
硃繼國%柴衛平%王華林%張樹旺%劉世民%張粲%汪亞輝
주계국%시위평%왕화림%장수왕%류세민%장찬%왕아휘
Mo薄膜%直流脉冲磁控溅射(DC-PMS)%电阻率%反射率
Mo薄膜%直流脈遲磁控濺射(DC-PMS)%電阻率%反射率
Mo박막%직류맥충자공천사(DC-PMS)%전조솔%반사솔
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系.结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10-4Ω·cm.不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200～840nm)反射率都随波长的增加而增大.随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200～840nm波长范围内的平均反射率达43.33%.
採用直流脈遲磁控濺射方法在SLG襯底上沉積CIGS太暘電池揹接觸Mo薄膜,研究瞭薄膜的光學和電學性能隨厚度的變化關繫.結果錶明,隨著薄膜厚度的增加,薄膜的電阻率先降低後增加,在厚度284.3nm處電阻率最低,為7.3×10-4Ω·cm.不同厚度的Mo薄膜在各箇波長處(200～840nm)反射率都隨波長的增加而增大.隨著薄膜厚度的增加,平均反射率總的呈下降趨勢,在薄膜厚度284.3nm時齣現一反射率高峰,其在200～840nm波長範圍內的平均反射率達43.33%.
채용직류맥충자공천사방법재SLG츤저상침적CIGS태양전지배접촉Mo박막,연구료박막적광학화전학성능수후도적변화관계.결과표명,수착박막후도적증가,박막적전조솔선강저후증가,재후도284.3nm처전조솔최저,위7.3×10-4Ω·cm.불동후도적Mo박막재각개파장처(200～840nm)반사솔도수파장적증가이증대.수착박막후도적증가,평균반사솔총적정하강추세,재박막후도284.3nm시출현일반사솔고봉,기재200～840nm파장범위내적평균반사솔체43.33%.
