蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长
람보석츤저상AlGaN외연재료적저압MOCVD생장
Growth of AlGaN Epilayers on Sapphire by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2007年 6期 800-803 ,共4页

    赵红%邹泽亚%赵文伯%杨晓波%刘挺%廖秀英%王振%周勇%刘万清

    조홍%추택아%조문백%양효파%류정%료수영%왕진%주용%류만청

    MOCVD%AlGaN%低温核化层 MOCVD%AlGaN%低溫覈化層
    MOCVD%AlGaN%저온핵화층
    采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层.Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒.当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后, AlGaN 外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高.
    채용저온AlN성핵층재1180℃온도하재(0001)람보석츤저상용저압MOCVD설비생장료AlGaN외연층.Al조분고체0.6、후도대우1μm적AlGaN외연층표면광량,정체질량교호,(0002)X사선연사회파곡선반봉관FWHM위853호초.당반응실기압종5×103Pa강도2×103Pa후, AlGaN 외연층적생장속솔화고상Al조분도현저제고.
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