半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
1期
51-55
,共5页
SiGe HBT%低频噪声%PSPICE%模拟
SiGe HBT%低頻譟聲%PSPICE%模擬
SiGe HBT%저빈조성%PSPICE%모의
对SiGe HBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析,据此建立了SPICE噪声等效电路模型,进一步用PSPICE软件对SiGe HBT的低频噪声特性进行了仿真模拟.研究了频率、基极电阻、工作电流和温度等因素对低频噪声的影响.模拟结果表明,相较于Si BJT和GaAs HBT,SiGe HBT具有更好的低频噪声特性;在低频范围内,可通过减小基极电阻、减小工作电流密度或减小发射极面积、降低器件的工作温度等措施来有效改善SiGe HBT的低频噪声特性.所得结果对SiGe HBT的设计和应用有重要意义.
對SiGe HBT低頻譟聲的各譟聲源進行瞭較全麵的分析,據此建立瞭SPICE譟聲等效電路模型,進一步用PSPICE軟件對SiGe HBT的低頻譟聲特性進行瞭倣真模擬.研究瞭頻率、基極電阻、工作電流和溫度等因素對低頻譟聲的影響.模擬結果錶明,相較于Si BJT和GaAs HBT,SiGe HBT具有更好的低頻譟聲特性;在低頻範圍內,可通過減小基極電阻、減小工作電流密度或減小髮射極麵積、降低器件的工作溫度等措施來有效改善SiGe HBT的低頻譟聲特性.所得結果對SiGe HBT的設計和應用有重要意義.
대SiGe HBT저빈조성적각조성원진행료교전면적분석,거차건립료SPICE조성등효전로모형,진일보용PSPICE연건대SiGe HBT적저빈조성특성진행료방진모의.연구료빈솔、기겁전조、공작전류화온도등인소대저빈조성적영향.모의결과표명,상교우Si BJT화GaAs HBT,SiGe HBT구유경호적저빈조성특성;재저빈범위내,가통과감소기겁전조、감소공작전류밀도혹감소발사겁면적、강저기건적공작온도등조시래유효개선SiGe HBT적저빈조성특성.소득결과대SiGe HBT적설계화응용유중요의의.
