半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
12期
1952-1956
,共5页
孙昊%韩军%李建军%邓军%邹德恕%宋小伟%宋欣原%沈光地
孫昊%韓軍%李建軍%鄧軍%鄒德恕%宋小偉%宋訢原%瀋光地
손호%한군%리건군%산군%추덕서%송소위%송흔원%침광지
全方位反射镜%模拟计算%发光二极管
全方位反射鏡%模擬計算%髮光二極管
전방위반사경%모의계산%발광이겁관
采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合.从模拟和实验的结果得到,SiO2/Au ODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上.对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率.在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%.这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率.
採用計算機模擬的方法,計算瞭SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射鏡結構和分佈式佈拉格反射鏡的反射特性.用PECVD和濺射設備製作瞭Glass/SiO2/Au結構,用LP-MOCVD生長瞭DBR結構,併測量瞭其反射特性,實驗與模擬結果基本吻閤.從模擬和實驗的結果得到,SiO2/Au ODR結構在波長為630nm的垂直入射光下反射率很高,達到91%以上.對于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°～85°都有很高的反射率,遠高于DBR結構的反射率.在實際器件測試中,ODR結構的AlGaInP紅光LED比無DBR結構的LED提高瞭115%,比DBR結構的LED提高瞭28%.這說明,ODR結構與DBR結構相比可以大幅提高紅光LED的齣光效率.
채용계산궤모의적방법,계산료SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au화ITO/Au전방위반사경결구화분포식포랍격반사경적반사특성.용PECVD화천사설비제작료Glass/SiO2/Au결구,용LP-MOCVD생장료DBR결구,병측량료기반사특성,실험여모의결과기본문합.종모의화실험적결과득도,SiO2/Au ODR결구재파장위630nm적수직입사광하반사솔흔고,체도91%이상.대우불동각도적입사광,SiO2/Au재20°～85°도유흔고적반사솔,원고우DBR결구적반사솔.재실제기건측시중,ODR결구적AlGaInP홍광LED비무DBR결구적LED제고료115%,비DBR결구적LED제고료28%.저설명,ODR결구여DBR결구상비가이대폭제고홍광LED적출광효솔.
