半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
533-535
,共3页
唐君%陈弘达%裴为华%贾九春%周毅
唐君%陳弘達%裴為華%賈九春%週毅
당군%진홍체%배위화%가구춘%주의
并行光传输%12信道光纤阵列%垂直腔面发射激光器%模块
併行光傳輸%12信道光纖陣列%垂直腔麵髮射激光器%模塊
병행광전수%12신도광섬진렬%수직강면발사격광기%모괴
制作并测试了12信道总传输速率为37.5Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.
製作併測試瞭12信道總傳輸速率為37.5Gbit/s的高速併行光髮射模塊,其中單信道傳輸速率為3.125Gbit/s.模塊採用波長為850nm的垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)作為光源.耦閤過程採用瞭一種利用倒裝銲設備進行激光器陣列與列陣光纖之間的無源對準耦閤的方法.在單信道8mA的工作電流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼圖.
제작병측시료12신도총전수속솔위37.5Gbit/s적고속병행광발사모괴,기중단신도전수속솔위3.125Gbit/s.모괴채용파장위850nm적수직강면발사격광기(VCSEL)작위광원.우합과정채용료일충이용도장한설비진행격광기진렬여렬진광섬지간적무원대준우합적방법.재단신도8mA적공작전류하,가이득도3.125Gbit/s적청석안도.
