GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
GaN기격광기다양자정결구적성능표정여결구우화
Characteristics and Structural Optimization of Multi-Quantum-Well Structure of GaN-Based Laser Diode
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 471-474 ,共4页

    魏启元%李倜%王彦杰%陈伟华%李睿%潘尧波%徐科%章蓓%杨志坚%胡晓东

    위계원%리척%왕언걸%진위화%리예%반요파%서과%장배%양지견%호효동

    氮化镓%激光二极管%量子阱%多元合金%增益 氮化鎵%激光二極管%量子阱%多元閤金%增益
    담화가%격광이겁관%양자정%다원합금%증익
    研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.
    연구료포괄사원합금재내적삼충다양자정결구,대이차위유원층적격광기진행료성능표정화비교분석.통과대역치전류화외미분양자효솔적측량이급증익분포적모의분석,증실료사원합금용우양자정결구생장대제고격광기성능적작용.차외대우화적양자정결구격광기적루전류화증익포화대래적영향진행료연구.
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