倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术
도장GaN기발광이겁관진렬미투경적조화기술
Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 496-499 ,共4页

    刘志强%王良臣%伊晓燕%王立彬%陈宇%郭德博%马龙

    류지강%왕량신%이효연%왕립빈%진우%곽덕박%마룡

    GaN基LED%ICP%阵列微透镜%粗化 GaN基LED%ICP%陣列微透鏡%粗化
    GaN기LED%ICP%진렬미투경%조화
    通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50%,测试结果与模拟计算值相符合.
    통과모의계산,분석료진렬미투경조화대도장결구GaN기LED제취효솔적영향.병채용감응우합등리자(ICP)간법각식기술재람보석표면제비진렬미투경,실현도장결구GaN기LED출광면조화.측시결과표명,상대우보통도장결구,진렬미투경표면조화가이사LED제취효솔제고약50%,측시결과여모의계산치상부합.
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