量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2007年
6期
727-731
,共5页
郑品棋%范广涵%李述体%孙惠卿%郑树文%邢海英
鄭品棋%範廣涵%李述體%孫惠卿%鄭樹文%邢海英
정품기%범엄함%리술체%손혜경%정수문%형해영
光电子学%减吸收%能流传输分析%p-GaN%抗全反射
光電子學%減吸收%能流傳輸分析%p-GaN%抗全反射
광전자학%감흡수%능류전수분석%p-GaN%항전반사
光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.
光提取效率的提高對GaN基藍光LED的廣汎應用有重要的影響.計算瞭以Ni/Au基金屬化方法形成的p型GaN電極的摺射率,通過分析電極層中的能流傳輸情況在電極上設計高摺射率的耦閤層來減少電極層對光的吸收以及提高光的透射,耦閤層通過採用圓檯結構來減少光在空氣/耦閤層界麵上的全反射以提高GaN基藍光LED的光提取效率.應用傳輸矩陣法計算的結果錶明,光學厚度為π/2,摺射率為2.02的ITO耦閤層能使450 nm的藍光在膜繫上的透射率提高到75%.
광제취효솔적제고대GaN기람광LED적엄범응용유중요적영향.계산료이Ni/Au기금속화방법형성적p형GaN전겁적절사솔,통과분석전겁층중적능류전수정황재전겁상설계고절사솔적우합층래감소전겁층대광적흡수이급제고광적투사,우합층통과채용원태결구래감소광재공기/우합층계면상적전반사이제고GaN기람광LED적광제취효솔.응용전수구진법계산적결과표명,광학후도위π/2,절사솔위2.02적ITO우합층능사450 nm적람광재막계상적투사솔제고도75%.
