微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
7期
7-9
,共3页
陈亮%亢勇%朱龙源%赵德刚%李向阳%龚海梅
陳亮%亢勇%硃龍源%趙德剛%李嚮暘%龔海梅
진량%항용%주룡원%조덕강%리향양%공해매
感应耦合等离子体%铝镓氮%扫描电镜%俄歇电子能谱
感應耦閤等離子體%鋁鎵氮%掃描電鏡%俄歇電子能譜
감응우합등리자체%려가담%소묘전경%아헐전자능보
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用.在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究.刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢.最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论.分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的.
感應耦閤等離子體(ICP)刻蝕在AlGaN基紫外探測器檯麵製作中起著重要作用.在對比瞭ICP與RIE,ECR等榦法刻蝕技術優缺點的基礎上,採用Ni作為掩膜,Cl2/Ar/BCl3作為刻蝕氣體,對金屬有機化學氣相澱積生長的n-Al0.45Ga0.55N進行瞭ICP刻蝕研究.刻蝕速率隨著ICP直流偏壓的增加而增加,刻蝕速率隨著ICP功率的增加先增加較快後增加緩慢.最後結閤刻蝕錶麵的掃描電鏡(SEM)分析和俄歇電子能譜(AES)深度分析對刻蝕結果進行瞭討論.分析錶明,在滿足刻蝕錶麵形貌的同時,較低的直流偏壓下刻蝕速率較慢,但損傷較小,這對于製備高性能的紫外探測器是有利的.
감응우합등리자체(ICP)각식재AlGaN기자외탐측기태면제작중기착중요작용.재대비료ICP여RIE,ECR등간법각식기술우결점적기출상,채용Ni작위엄막,Cl2/Ar/BCl3작위각식기체,대금속유궤화학기상정적생장적n-Al0.45Ga0.55N진행료ICP각식연구.각식속솔수착ICP직류편압적증가이증가,각식속솔수착ICP공솔적증가선증가교쾌후증가완만.최후결합각식표면적소묘전경(SEM)분석화아헐전자능보(AES)심도분석대각식결과진행료토론.분석표명,재만족각식표면형모적동시,교저적직류편압하각식속솔교만,단손상교소,저대우제비고성능적자외탐측기시유리적.
