电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
10期
40-43
,共4页
硅功率器件%击穿电压%扩散保护环%耗尽区腐蚀
硅功率器件%擊穿電壓%擴散保護環%耗儘區腐蝕
규공솔기건%격천전압%확산보호배%모진구부식
文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压.文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015 cm-3和3μm的外延材料上制作出击穿电压为55V的C波段20W功率器件.
文章分析瞭微波功率器件的特點及其對器件擊穿電壓的影響,併在此基礎上通過採用擴散保護環和耗儘區腐蝕兩種方法來提高器件的擊穿電壓.文中對兩種方法的相關參數進行瞭模擬優化,最終在濃度和厚度分彆為9×1015 cm-3和3μm的外延材料上製作齣擊穿電壓為55V的C波段20W功率器件.
문장분석료미파공솔기건적특점급기대기건격천전압적영향,병재차기출상통과채용확산보호배화모진구부식량충방법래제고기건적격천전압.문중대량충방법적상관삼수진행료모의우화,최종재농도화후도분별위9×1015 cm-3화3μm적외연재료상제작출격천전압위55V적C파단20W공솔기건.
