微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
2期
107-111
,共5页
袁育杰%刘玉岭%张远祥%程东升
袁育傑%劉玉嶺%張遠祥%程東升
원육걸%류옥령%장원상%정동승
化学机械抛光%铝薄膜%全局平面化
化學機械拋光%鋁薄膜%全跼平麵化
화학궤계포광%려박막%전국평면화
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析.试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20 nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%.
提齣瞭在堿性拋光液中鋁薄膜化學機械拋光的機理模型,對拋光液的pH值、磨料、氧化劑濃度對過程參數的影響做瞭一些試驗分析.試驗結果錶麵粗糙度的鋁薄膜所需的最優化CMP過程參數:硅溶膠粒徑為15～20 nm,pH值為10.8～11.2,氧化劑濃度為2.5%～3%.
제출료재감성포광액중려박막화학궤계포광적궤리모형,대포광액적pH치、마료、양화제농도대과정삼수적영향주료일사시험분석.시험결과표면조조도적려박막소수적최우화CMP과정삼수:규용효립경위15～20 nm,pH치위10.8～11.2,양화제농도위2.5%～3%.
