电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2006年
2期
352-355
,共4页
噪声测量%FET%本征H参数%级联噪声矩阵
譟聲測量%FET%本徵H參數%級聯譟聲矩陣
조성측량%FET%본정H삼수%급련조성구진
本文提出一种FET/pHEMT器件噪声参数提取的新方法.该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CAINT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程.后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定Tg和Td.再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵CA,相应的噪声参数(Fmin,Rn和Γopt)也求出来了.三个FET/pHEMT器件的测量结果显示出,实测参数与Garcia和Lázaro的方法吻合得很好.
本文提齣一種FET/pHEMT器件譟聲參數提取的新方法.該方法利用50Ω輸入阻抗譟聲繫數F50的測量,通過本徵H參數和本徵級聯譟聲矩陣CAINT,確定齣關于門譟聲溫度Tg和漏譟聲溫度Td的線性方程.後對所有頻點的線性方程Tg-Td作統計分析,即可確定Tg和Td.再由譟聲網絡閤成原理求得總的級聯譟聲相關矩陣CA,相應的譟聲參數(Fmin,Rn和Γopt)也求齣來瞭.三箇FET/pHEMT器件的測量結果顯示齣,實測參數與Garcia和Lázaro的方法吻閤得很好.
본문제출일충FET/pHEMT기건조성삼수제취적신방법.해방법이용50Ω수입조항조성계수F50적측량,통과본정H삼수화본정급련조성구진CAINT,학정출관우문조성온도Tg화루조성온도Td적선성방정.후대소유빈점적선성방정Tg-Td작통계분석,즉가학정Tg화Td.재유조성망락합성원리구득총적급련조성상관구진CA,상응적조성삼수(Fmin,Rn화Γopt)야구출래료.삼개FET/pHEMT기건적측량결과현시출,실측삼수여Garcia화Lázaro적방법문합득흔호.
