半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
2028-2031
,共4页
薄栅氧%低功耗%自恢复%电平移位%LDMOS
薄柵氧%低功耗%自恢複%電平移位%LDMOS
박책양%저공모%자회복%전평이위%LDMOS
设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路.在20V工作电压下,n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V.当一个选址周期结束后,电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路.该电路为高低压兼容,采用标准0.5μmCMOS-LDMOS兼容工艺制造,可用于OLED显示的驱动控制.
設計瞭一箇新型的薄柵氧、低功耗、自恢複的電平移位柵電壓控製電路.在20V工作電壓下,n溝道和p溝道LDMOS高壓器件的柵源電壓Vgs分彆保持在±5V.噹一箇選阯週期結束後,電路能自動複位而不需增加任何複位器件和電路.該電路為高低壓兼容,採用標準0.5μmCMOS-LDMOS兼容工藝製造,可用于OLED顯示的驅動控製.
설계료일개신형적박책양、저공모、자회복적전평이위책전압공제전로.재20V공작전압하,n구도화p구도LDMOS고압기건적책원전압Vgs분별보지재±5V.당일개선지주기결속후,전로능자동복위이불수증가임하복위기건화전로.해전로위고저압겸용,채용표준0.5μmCMOS-LDMOS겸용공예제조,가용우OLED현시적구동공제.
