硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2003年
5期
480-484
,共5页
武安华%徐家跃%周娟%范世(马山豆)
武安華%徐傢躍%週娟%範世(馬山豆)
무안화%서가약%주연%범세(마산두)
硅酸镓镧%langasite结构%晶体生长%压电晶体
硅痠鎵鑭%langasite結構%晶體生長%壓電晶體
규산가란%langasite결구%정체생장%압전정체
新型压电晶体La3Ga5SiO14因其低声速、零温度切向和良好的高温稳定性受到关注, 但是昂贵的Ga2O3原料阻碍了它的工业应用.通过离子置换可获得具有langasite结构的多种新型压电晶体.综述介绍了置换La, Ga, Si形成的新型压电晶体的最新研究进展, 比较分析了不同晶体的优势及其存在的问题.在这些新晶体中, 由于Sr3Ga2Ge4O14(SGG)具有熔点较低、性能较高的综合优势, 它有可能成为新一代表面波器件的重要侯选材料.与提拉法相比, 采用坩埚密封的下降法生长SGG单晶, 可以显著提高晶体产率, 降低成本.
新型壓電晶體La3Ga5SiO14因其低聲速、零溫度切嚮和良好的高溫穩定性受到關註, 但是昂貴的Ga2O3原料阻礙瞭它的工業應用.通過離子置換可穫得具有langasite結構的多種新型壓電晶體.綜述介紹瞭置換La, Ga, Si形成的新型壓電晶體的最新研究進展, 比較分析瞭不同晶體的優勢及其存在的問題.在這些新晶體中, 由于Sr3Ga2Ge4O14(SGG)具有鎔點較低、性能較高的綜閤優勢, 它有可能成為新一代錶麵波器件的重要侯選材料.與提拉法相比, 採用坩堝密封的下降法生長SGG單晶, 可以顯著提高晶體產率, 降低成本.
신형압전정체La3Ga5SiO14인기저성속、령온도절향화량호적고온은정성수도관주, 단시앙귀적Ga2O3원료조애료타적공업응용.통과리자치환가획득구유langasite결구적다충신형압전정체.종술개소료치환La, Ga, Si형성적신형압전정체적최신연구진전, 비교분석료불동정체적우세급기존재적문제.재저사신정체중, 유우Sr3Ga2Ge4O14(SGG)구유용점교저、성능교고적종합우세, 타유가능성위신일대표면파기건적중요후선재료.여제랍법상비, 채용감과밀봉적하강법생장SGG단정, 가이현저제고정체산솔, 강저성본.
