光机电信息
光機電信息
광궤전신식
OME INFORMATION
2003年
7期
11-17
,共7页
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法.对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求.列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题:热对流与残余热应力问题;位错和亚结构问题;与晶体生长相关的化学计量问题,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况.
綜述瞭幾種較為成功的適閤于工業化大規模生長及科研應用的GaAs材料的生長工藝,如液封直拉法、水平佈裏支曼法、垂直梯度凝固法/垂直佈裏支曼法和蒸氣壓控製直拉法.對比分析瞭幾種GaAs晶體生長工藝的優缺點,併介紹瞭各種器件和電路對GaAs單晶材料的要求.列舉瞭GaAs單晶生長中有待解決的問題:熱對流與殘餘熱應力問題;位錯和亞結構問題;與晶體生長相關的化學計量問題,此外還介紹瞭我國GaAs材料的髮展狀況.
종술료궤충교위성공적괄합우공업화대규모생장급과연응용적GaAs재료적생장공예,여액봉직랍법、수평포리지만법、수직제도응고법/수직포리지만법화증기압공제직랍법.대비분석료궤충GaAs정체생장공예적우결점,병개소료각충기건화전로대GaAs단정재료적요구.열거료GaAs단정생장중유대해결적문제:열대류여잔여열응력문제;위착화아결구문제;여정체생장상관적화학계량문제,차외환개소료아국GaAs재료적발전상황.
