材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2000年
2期
215-217
,共3页
李代宗%于卓%雷震霖%成步文%余金中%王启明
李代宗%于卓%雷震霖%成步文%餘金中%王啟明
리대종%우탁%뢰진림%성보문%여금중%왕계명
超高真空化学气相淀积%GeSi%X射线双晶衍射
超高真空化學氣相澱積%GeSi%X射線雙晶衍射
초고진공화학기상정적%GeSi%X사선쌍정연사
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好.
利用超高真空化學氣相澱積(UHV/CVD)繫統在650℃生長齣錶麵光亮的GeSi單晶在1200L/min分子泵與前級機械泵間串接450L/min分子泵,改善瞭生長環境串接分子泵後生長的樣品的X射線雙晶衍射分析錶明,外延層衍射峰半寬僅為198arcsec,且齣現瞭Pendellosung榦涉條紋,說明外延層結晶質量很好.
이용초고진공화학기상정적(UHV/CVD)계통재650℃생장출표면광량적GeSi단정재1200L/min분자빙여전급궤계빙간천접450L/min분자빙,개선료생장배경천접분자빙후생장적양품적X사선쌍정연사분석표명,외연층연사봉반관부위198arcsec,차출현료Pendellosung간섭조문,설명외연층결정질량흔호.
