半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
216-220
,共5页
门传玲%徐政%安正华%吴雁军%林成鲁
門傳玲%徐政%安正華%吳雁軍%林成魯
문전령%서정%안정화%오안군%림성로
AlN薄膜%智能剥离%绝缘层上硅
AlN薄膜%智能剝離%絕緣層上硅
AlN박막%지능박리%절연층상규
采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AlN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要.同时,采用智能剥离技术成功实现了室温下AlN与注氢硅片的直接键合,形成了以AlN薄膜为埋层的SOI结构,即AlN上的硅结构(SOAN).用扩展电阻、卢瑟福背散射-沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的SOAN结构.
採用離子束增彊沉積技術在100mm硅片上製備大麵積均勻AlN薄膜,原子力顯微鏡(AFM)顯示其錶麵平整光滑,均方根粗糙度(RMS)為0.13nm,滿足直接鍵閤的需要.同時,採用智能剝離技術成功實現瞭室溫下AlN與註氫硅片的直接鍵閤,形成瞭以AlN薄膜為埋層的SOI結構,即AlN上的硅結構(SOAN).用擴展電阻、盧瑟福揹散射-溝道、剖麵透射電鏡等技術分析瞭所形成的SOAN結構.
채용리자속증강침적기술재100mm규편상제비대면적균균AlN박막,원자력현미경(AFM)현시기표면평정광활,균방근조조도(RMS)위0.13nm,만족직접건합적수요.동시,채용지능박리기술성공실현료실온하AlN여주경규편적직접건합,형성료이AlN박막위매층적SOI결구,즉AlN상적규결구(SOAN).용확전전조、로슬복배산사-구도、부면투사전경등기술분석료소형성적SOAN결구.
