CAJ | 학술논문

万方数据

功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年 1期 13-16 ,共4页

曲宝壮%朱勤生%陈振%陆大成%韩培德%刘祥林%王晓晖%孙学浩%李昱峰%陆沅%黎大兵%王占国

곡보장%주근생%진진%륙대성%한배덕%류상림%왕효휘%손학호%리욱봉%륙원%려대병%왕점국

量子点%MOCVD%共振隧穿%InGaN/GaN 量子點%MOCVD%共振隧穿%InGaN/GaN
양자점%MOCVD%공진수천%InGaN/GaN

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿.
이용금속유궤화학기상침적( MOCVD)기술 , 채용일충칭위저온둔화적신생장방법성공지생 장출다층 InGaN/GaN양자점.저충방법시대 GaN표면진행둔화병재저온하생장 ,종이증가표면흡 부원자적천이세루.채용원자력현미경청초지관찰도해방법생장적양품중도상적양자점.종양자점 양품적 I- V특성곡선관찰도료공진수천인기적부조효응,기중적거치상봉형귀인우령유양자점적 공진수천.