物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2002年
9期
791-795
,共5页
邵敏华%黄若双%付燕%胡融刚%林昌健
邵敏華%黃若雙%付燕%鬍融剛%林昌健
소민화%황약쌍%부연%호융강%림창건
Ce转化膜%2024-T3Al合金%局部腐蚀%扫描微参比电极
Ce轉化膜%2024-T3Al閤金%跼部腐蝕%掃描微參比電極
Ce전화막%2024-T3Al합금%국부부식%소묘미삼비전겁
Ce转化膜作为一种Cr转化膜的理想替代品而日益受到人们的重视,但其成膜机理还不很清楚.本文应用自行研制的扫描微参比电极技术(SMRE),原位测量经CeCl3溶液处理的2024-T3Al合金表面微区电位分布,并结合X光电子能谱(XPS)和交流阻抗谱(EIS),对Ce转化膜的成膜机理进行探讨.结果表明,在CeCl3溶液中,Ce转化膜的形成过程是Ce3+和Cl-相互竞争的动态过程.当由Cl-的不均匀吸附引起的局部腐蚀使pH升高时,Ce(OH)3就会首先在局部位置发生沉积.阴极反应过程产生的H2O2可将Ce(OH)3部分氧化成CeO2.
Ce轉化膜作為一種Cr轉化膜的理想替代品而日益受到人們的重視,但其成膜機理還不很清楚.本文應用自行研製的掃描微參比電極技術(SMRE),原位測量經CeCl3溶液處理的2024-T3Al閤金錶麵微區電位分佈,併結閤X光電子能譜(XPS)和交流阻抗譜(EIS),對Ce轉化膜的成膜機理進行探討.結果錶明,在CeCl3溶液中,Ce轉化膜的形成過程是Ce3+和Cl-相互競爭的動態過程.噹由Cl-的不均勻吸附引起的跼部腐蝕使pH升高時,Ce(OH)3就會首先在跼部位置髮生沉積.陰極反應過程產生的H2O2可將Ce(OH)3部分氧化成CeO2.
Ce전화막작위일충Cr전화막적이상체대품이일익수도인문적중시,단기성막궤리환불흔청초.본문응용자행연제적소묘미삼비전겁기술(SMRE),원위측량경CeCl3용액처리적2024-T3Al합금표면미구전위분포,병결합X광전자능보(XPS)화교류조항보(EIS),대Ce전화막적성막궤리진행탐토.결과표명,재CeCl3용액중,Ce전화막적형성과정시Ce3+화Cl-상호경쟁적동태과정.당유Cl-적불균균흡부인기적국부부식사pH승고시,Ce(OH)3취회수선재국부위치발생침적.음겁반응과정산생적H2O2가장Ce(OH)3부분양화성CeO2.
