中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2002年
3期
320-323
,共4页
徐军%谢家纯%董小波%王克彦%李垚%易波
徐軍%謝傢純%董小波%王剋彥%李垚%易波
서군%사가순%동소파%왕극언%리요%역파
宽禁带%碳化硅%肖特基%二极管
寬禁帶%碳化硅%肖特基%二極管
관금대%탄화규%초특기%이겁관
采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触,SiO2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD).该器件在室温下反向击穿电压大于450V,对应漏电流为6×10-6A.并对实验结果进行分析模拟,理想因子为1.73,肖特基势垒高度为1.25V,实验表明,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流.
採用微電子平麵工藝,高真空電子束蒸髮金屬Ni作肖特基接觸,多層金屬Ni、Ti、Ag閤金作歐姆接觸,SiO2絕緣環隔離減小高壓電場集邊效應等技術,製作齣Ni/4H-SiC肖特基勢壘二極管(SBD).該器件在室溫下反嚮擊穿電壓大于450V,對應漏電流為6×10-6A.併對實驗結果進行分析模擬,理想因子為1.73,肖特基勢壘高度為1.25V,實驗錶明,該器件具有較好的正嚮整流特性和較小的反嚮漏電流.
채용미전자평면공예,고진공전자속증발금속Ni작초특기접촉,다층금속Ni、Ti、Ag합금작구모접촉,SiO2절연배격리감소고압전장집변효응등기술,제작출Ni/4H-SiC초특기세루이겁관(SBD).해기건재실온하반향격천전압대우450V,대응루전류위6×10-6A.병대실험결과진행분석모의,이상인자위1.73,초특기세루고도위1.25V,실험표명,해기건구유교호적정향정류특성화교소적반향루전류.
