微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2002年
2期
120-123
,共4页
李竞春%杨沛峰%杨谟华%何林%李开成%谭开州%张静
李競春%楊沛峰%楊謨華%何林%李開成%譚開州%張靜
리경춘%양패봉%양모화%하림%리개성%담개주%장정
SiGe%应变材料%分子束外延%X射线双晶衍射
SiGe%應變材料%分子束外延%X射線雙晶衍射
SiGe%응변재료%분자속외연%X사선쌍정연사
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面,其它参数也可准确控制.通过X射线双晶衍射摇摆曲线方法,研究了经700 °C、800 °C和900 °C退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性.结果表明,随着退火温度的提高,应变层垂直应变逐渐减小,并发生了应变驰豫,导致晶体质量退化;且Ge组分越小,Si1-xGex应变结构的热稳定性越好;室温下长时间存放的应变材料性能稳定.
利用分子束外延(MBE) 技術生長瞭Ge組份為0.1～0.46的Si1-xGex外延層.X射線衍射測試錶明,SiGe/Si異質結材料具有良好的結晶質量和陡峭界麵,其它參數也可準確控製.通過X射線雙晶衍射搖襬麯線方法,研究瞭經700 °C、800 °C和900 °C退火後應變SiGe/Si異質結材料的熱穩定性.結果錶明,隨著退火溫度的提高,應變層垂直應變逐漸減小,併髮生瞭應變馳豫,導緻晶體質量退化;且Ge組分越小,Si1-xGex應變結構的熱穩定性越好;室溫下長時間存放的應變材料性能穩定.
이용분자속외연(MBE) 기술생장료Ge조빈위0.1～0.46적Si1-xGex외연층.X사선연사측시표명,SiGe/Si이질결재료구유량호적결정질량화두초계면,기타삼수야가준학공제.통과X사선쌍정연사요파곡선방법,연구료경700 °C、800 °C화900 °C퇴화후응변SiGe/Si이질결재료적열은정성.결과표명,수착퇴화온도적제고,응변층수직응변축점감소,병발생료응변치예,도치정체질량퇴화;차Ge조분월소,Si1-xGex응변결구적열은정성월호;실온하장시간존방적응변재료성능은정.
