光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2002年
1期
9-11
,共3页
王蓉%王志功%柯锡明%敖金平%李献杰%刘伟吉
王蓉%王誌功%柯錫明%敖金平%李獻傑%劉偉吉
왕용%왕지공%가석명%오금평%리헌걸%류위길
光接收机%前置放大器%GaAs PHEMT工艺
光接收機%前置放大器%GaAs PHEMT工藝
광접수궤%전치방대기%GaAs PHEMT공예
本文报导了光纤通信接收机中GaAs PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果.此前置放大器采用单电源供电,由1级放大器、2级源级跟随器和1个反馈电阻组成.当前置放大器工作在2.5 Gbit/s时,跨阻可达60 dBΩ.采用+5 V电源供电,功耗为110 mW.
本文報導瞭光纖通信接收機中GaAs PHEMT工藝前置放大器的設計方法與測試結果.此前置放大器採用單電源供電,由1級放大器、2級源級跟隨器和1箇反饋電阻組成.噹前置放大器工作在2.5 Gbit/s時,跨阻可達60 dBΩ.採用+5 V電源供電,功耗為110 mW.
본문보도료광섬통신접수궤중GaAs PHEMT공예전치방대기적설계방법여측시결과.차전치방대기채용단전원공전,유1급방대기、2급원급근수기화1개반궤전조조성.당전치방대기공작재2.5 Gbit/s시,과조가체60 dBΩ.채용+5 V전원공전,공모위110 mW.
