室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火
실온하참Er부규양화규화참Er부규담화규적광치발광급기퇴화
Photoluminescence from Er-doped Silicon-rich Silicon Oxide Film and Er-doped Silicon-rich Silicon Nitride Film and Its Annealing Behavior
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2001年 6期 763-765 ,共3页

    袁放成%冉广照%陈源%张伯蕊%乔永平%付济时%秦国刚%马振昌%宗婉华

    원방성%염엄조%진원%장백예%교영평%부제시%진국강%마진창%종완화

    铒%富硅氧化硅,富硅氮化硅%光致发光%纳米硅 鉺%富硅氧化硅,富硅氮化硅%光緻髮光%納米硅
    이%부규양화규,부규담화규%광치발광%납미규
    用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜的退火温度有关.为了确定1.54 μm PL的最佳退火温度,这些薄膜都分别在600,700,800,900,1 000,1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的最佳退火温度是800℃,不富硅的两种薄膜的最佳退火温度是900℃.样品的1.54 μm PL最强,且800℃退火的掺Er富硅氧化硅薄膜的1.54 μm峰强度是最强的,比不富硅的强了约20倍,还观察到这四种薄膜都具有1.38 μm的PL带,且掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅这两种薄膜的PL在强度上1.38 μm峰与1.54 μm峰有一定的关系.
    용자공천사정적참Er양화규、참Er부규양화규、참Er담화규화참Er부규담화규박막,실온하측량저사충박막적광치발광(PL)보,관찰도저사충박막도구유1.54 μm적봉위,기강도여박막적퇴화온도유관.위료학정1.54 μm PL적최가퇴화온도,저사박막도분별재600,700,800,900,1 000,1 100℃적온도하동시퇴화,발현량충부규박막적최가퇴화온도시800℃,불부규적량충박막적최가퇴화온도시900℃.양품적1.54 μm PL최강,차800℃퇴화적참Er부규양화규박막적1.54 μm봉강도시최강적,비불부규적강료약20배,환관찰도저사충박막도구유1.38 μm적PL대,차참Er부규양화규화참Er부규담화규저량충박막적PL재강도상1.38 μm봉여1.54 μm봉유일정적관계.
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