半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
11期
1411-1415
,共5页
冯文修%陈蒲生%田浦延%刘剑
馮文脩%陳蒲生%田浦延%劉劍
풍문수%진포생%전포연%류검
电子隧穿%快速热氮化%SiO2膜%晶向硅
電子隧穿%快速熱氮化%SiO2膜%晶嚮硅
전자수천%쾌속열담화%SiO2막%정향규
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流.研究结果表明:经RTN SiO2膜比原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象.比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象.
用滷素鎢燈作輻射熱源快速熱氮化(RTN)10 nm SiO2膜,製備瞭<100>和<111>晶嚮Si襯底上的Si-SiOxNy-Al電容結構.研究瞭電子從〈100〉和〈111>不同晶嚮N型硅積纍層到RTN後SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏電流和高場F-N隧穿電流.研究結果錶明:經RTN SiO2膜比原始SiO2膜從低場到隧穿電場範圍都明顯地看到電導增彊現象.比較RTN後兩種不同晶嚮樣品,低場漏電流沒有多大的差彆而在高場從<100>晶嚮比從<111>晶嚮Si隧穿SiOxNy膜的F-N電流卻明顯增加,藉用一種基于橫嚮晶格動量守恆的理論模型解釋瞭這種現象.
용서소오등작복사열원쾌속열담화(RTN)10 nm SiO2막,제비료<100>화<111>정향Si츤저상적Si-SiOxNy-Al전용결구.연구료전자종〈100〉화〈111>불동정향N형규적루층도RTN후SiO2막(혹원시SiO2막)적루전류화고장F-N수천전류.연구결과표명:경RTN SiO2막비원시SiO2막종저장도수천전장범위도명현지간도전도증강현상.비교RTN후량충불동정향양품,저장루전류몰유다대적차별이재고장종<100>정향비종<111>정향Si수천SiOxNy막적F-N전류각명현증가,차용일충기우횡향정격동량수항적이론모형해석료저충현상.
