半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
9期
49-53,58
,共6页
郑宜钧%顾军%贾永华%江锋%张铃铃%洪海燕
鄭宜鈞%顧軍%賈永華%江鋒%張鈴鈴%洪海燕
정의균%고군%가영화%강봉%장령령%홍해연
GeSi异质结构%调制掺杂%MODMOS
GeSi異質結構%調製摻雜%MODMOS
GeSi이질결구%조제참잡%MODMOS
在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi-PMODMOS特性的影响.介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超薄栅介质层(PESiO2,LPSiO2)、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术.
在分析PMODMOS結構以及器件物理基礎上,重點研究瞭GeSi溝道中Ge含量分佈、超薄柵介質層SiO2和Si帽層厚度等對GeSi-PMODMOS特性的影響.介紹瞭與GeSi-PMODMOS結構器件相關的超薄柵介質層(PESiO2,LPSiO2)、超淺結工藝和超淺結金屬化等重要工藝技術.
재분석PMODMOS결구이급기건물리기출상,중점연구료GeSi구도중Ge함량분포、초박책개질층SiO2화Si모층후도등대GeSi-PMODMOS특성적영향.개소료여GeSi-PMODMOS결구기건상관적초박책개질층(PESiO2,LPSiO2)、초천결공예화초천결금속화등중요공예기술.
