半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
10期
1306-1309
,共4页
穆甫臣%许铭真%谭长华%段小蓉
穆甫臣%許銘真%譚長華%段小蓉
목보신%허명진%담장화%단소용
HCI%热载流子效应%n-MOSFET%寿命预测
HCI%熱載流子效應%n-MOSFET%壽命預測
HCI%열재류자효응%n-MOSFET%수명예측
对氧化层厚度为4和5nm的n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化.在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型,此模型适用于氧化层厚度为4 5nm或更薄的器件.
對氧化層厚度為4和5nm的n-MOSFETs進行瞭溝道熱載流子應力加速壽命實驗,研究瞭飽和漏電流在熱載流子應力下的退化.在飽和漏電流退化特性的基礎上提齣瞭電子流量模型,此模型適用于氧化層厚度為4 5nm或更薄的器件.
대양화층후도위4화5nm적n-MOSFETs진행료구도열재류자응력가속수명실험,연구료포화루전류재열재류자응력하적퇴화.재포화루전류퇴화특성적기출상제출료전자류량모형,차모형괄용우양화층후도위4 5nm혹경박적기건.
