固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2000年
3期
264-269
,共6页
高文秀%陈松岩%刘宝林%黄美纯%陈小红%杨祖慎
高文秀%陳鬆巖%劉寶林%黃美純%陳小紅%楊祖慎
고문수%진송암%류보림%황미순%진소홍%양조신
硅量子点%减压化学汽相淀积%自然形成%光学吸收发射谱
硅量子點%減壓化學汽相澱積%自然形成%光學吸收髮射譜
규양자점%감압화학기상정적%자연형성%광학흡수발사보
用SiH4气体的减压CVD法,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的(～1011cm-2)纳米尺寸的半球状硅晶粒(硅量子点),并且对其光学吸收和发光(Photo-luminescence,PL)特性进行了评价.用表面热氧化了的硅量子点样品,在室温条件且在高于1.2eV以上的能量范围内观察到了PL谱.随着量子点尺寸的减少,PL谱的光学吸收限移向高能方向.PL谱的峰值能呈现大幅度的(约0.9eV)斯塔克移动,并且PL谱的强度几乎与温度无关,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程.
用SiH4氣體的減壓CVD法,在氧化硅以及石英基闆上自然形成瞭高密度的(～1011cm-2)納米呎吋的半毬狀硅晶粒(硅量子點),併且對其光學吸收和髮光(Photo-luminescence,PL)特性進行瞭評價.用錶麵熱氧化瞭的硅量子點樣品,在室溫條件且在高于1.2eV以上的能量範圍內觀察到瞭PL譜.隨著量子點呎吋的減少,PL譜的光學吸收限移嚮高能方嚮.PL譜的峰值能呈現大幅度的(約0.9eV)斯塔剋移動,併且PL譜的彊度幾乎與溫度無關,說明髮光來自與跼域能級相關聯的髮光和複閤過程.
용SiH4기체적감압CVD법,재양화규이급석영기판상자연형성료고밀도적(～1011cm-2)납미척촌적반구상규정립(규양자점),병차대기광학흡수화발광(Photo-luminescence,PL)특성진행료평개.용표면열양화료적규양자점양품,재실온조건차재고우1.2eV이상적능량범위내관찰도료PL보.수착양자점척촌적감소,PL보적광학흡수한이향고능방향.PL보적봉치능정현대폭도적(약0.9eV)사탑극이동,병차PL보적강도궤호여온도무관,설명발광래자여국역능급상관련적발광화복합과정.
