半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
726-729
,共4页
金瑞琴%赵德刚%刘建平%张纪才%杨辉
金瑞琴%趙德剛%劉建平%張紀纔%楊輝
금서금%조덕강%류건평%장기재%양휘
MOCVD%GaN%在位监控%生长速率
MOCVD%GaN%在位鑑控%生長速率
MOCVD%GaN%재위감공%생장속솔
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.
採用在位鑑控方法研究瞭MOCVD繫統中GaN材料的外延生長速率與NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生長參數的關繫.GaN生長速率隨NH3流量的提高先增加後減小,而隨TMGa流量的增加線性的增加.在不同NH3流量的情況下,GaN生長速率隨TMGa流量增加的速率不同.GaN的生長速率與Ⅴ/Ⅲ比沒有直接的關繫,而與NH3,TMGa等條件有關.實驗結果錶明,MOCVD繫統中存在著較彊的預反應.預反應的程度與TMGa的流量成正比.
채용재위감공방법연구료MOCVD계통중GaN재료적외연생장속솔여NH3류량、TMGa류량、Ⅴ/Ⅲ비등생장삼수적관계.GaN생장속솔수NH3류량적제고선증가후감소,이수TMGa류량적증가선성적증가.재불동NH3류량적정황하,GaN생장속솔수TMGa류량증가적속솔불동.GaN적생장속솔여Ⅴ/Ⅲ비몰유직접적관계,이여NH3,TMGa등조건유관.실험결과표명,MOCVD계통중존재착교강적예반응.예반응적정도여TMGa적류량성정비.
