窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡
착금대희자반도체이유전자기적박빈진탕
Beating oscillation of two-dimensional electrons gas in narrow gap dilute magnetic semiconductor
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2006年 2期 786-790 ,共5页

    朱博%桂永胜%仇志军%周文政%姚炜%郭少令%褚君浩%张福甲

    주박%계영성%구지군%주문정%요위%곽소령%저군호%장복갑

    磁性二维电子气%自旋分裂%sp-d交换相互作用%拍频 磁性二維電子氣%自鏇分裂%sp-d交換相互作用%拍頻
    자성이유전자기%자선분렬%sp-d교환상호작용%박빈
    通过对调制掺杂的n型Hg082Cd0.16Mn0.02Te/Hg03Cd0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.
    통과대조제참잡적n형Hg082Cd0.16Mn0.02Te/Hg03Cd0.7Te제일류양자정중자성이유전자기자조박빈진탕적연구,발현온도、책압적변화도회인기자조박빈절점위치적변화.종대박빈적분석중,가이장의뢰우책압적Rashba자선-궤도분렬화의뢰우온도적거대새만분렬구분개래.
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