5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端
5Gb/s단편집성GaAs MSM/PHEMT 850nm광접수궤전단
5Gb/s Monolithically Integrated GaAs MSM/PHEMT 850nm Optical Receiver Front End
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 4期 587-591 ,共5页

    焦世龙%陈堂胜%钱峰%冯欧%蒋幼泉%李拂晓%邵凯%叶玉堂

    초세룡%진당성%전봉%풍구%장유천%리불효%소개%협옥당

    金属-半导体-金属光探测器%分布放大器%光接收机%眼图 金屬-半導體-金屬光探測器%分佈放大器%光接收機%眼圖
    금속-반도체-금속광탐측기%분포방대기%광접수궤%안도
    采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.5 dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.
    채용0.5μm GaAs PHEMT공예연제출료일충단편집성850nm광접수궤전단,타포괄금속-반도체-금속(MSM)광탐측기화분포방대기.탐측기광민면적위50μm×50μm,전용위0.17pF,4V편압하적암전류소우17nA.분포방대기-3dB대관접근20GHz,과조증익약46dBΩ;재50MHz～16GHz범위내,수입、수출전압주파비균소우2;조성계수재3.03～6.5 dB지간.광접수궤전단재수입2.5화5Gb/s비귀령위수궤이진제서렬조제적광신호하,득도교위청석적수출안도.
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