浙江工业大学学报
浙江工業大學學報
절강공업대학학보
Journal of Zhejiang University of Technology
2007年
6期
650-653
,共4页
双多晶硅栅%LDD结构%SOICMOS器件
雙多晶硅柵%LDD結構%SOICMOS器件
쌍다정규책%LDD결구%SOICMOS기건
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的源漏区,以增加源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,降低了寄生电阻,减小了静态功耗.实现了性能优良的全耗尽金属栅FD SOICMOS器件.与常规工艺的器件相比,提高了输出驱动电流,也改善了器件的亚阈值特性,特别是在沟道掺杂浓度比较低的情况下能得到非常合适的阈值电压.NMOS器件的饱和电流为0.65 mA/μm;PMOS器件的饱和电流为0.35 mA/μm.
在對全耗儘SOIMOS器件進行瞭大量研究的基礎上,採用金屬柵工藝,併採用瞭LDD結構以減小熱載流子效應,防止漏的擊穿,還採用瞭突起的源漏區,以增加源漏區的厚度併減小源漏區的串聯電阻,以增彊器件的電流驅動能力,降低瞭寄生電阻,減小瞭靜態功耗.實現瞭性能優良的全耗儘金屬柵FD SOICMOS器件.與常規工藝的器件相比,提高瞭輸齣驅動電流,也改善瞭器件的亞閾值特性,特彆是在溝道摻雜濃度比較低的情況下能得到非常閤適的閾值電壓.NMOS器件的飽和電流為0.65 mA/μm;PMOS器件的飽和電流為0.35 mA/μm.
재대전모진SOIMOS기건진행료대량연구적기출상,채용금속책공예,병채용료LDD결구이감소열재류자효응,방지루적격천,환채용료돌기적원루구,이증가원루구적후도병감소원루구적천련전조,이증강기건적전류구동능력,강저료기생전조,감소료정태공모.실현료성능우량적전모진금속책FD SOICMOS기건.여상규공예적기건상비,제고료수출구동전류,야개선료기건적아역치특성,특별시재구도참잡농도비교저적정황하능득도비상합괄적역치전압.NMOS기건적포화전류위0.65 mA/μm;PMOS기건적포화전류위0.35 mA/μm.
