半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
7期
704-707
,共4页
贾玉伟%许春良%魏洪涛%喻梦霞%高学邦
賈玉偉%許春良%魏洪濤%喻夢霞%高學邦
가옥위%허춘량%위홍도%유몽하%고학방
单端匹配%功率%微波单片集成电路%单刀单掷%PIN二极管%插入损耗
單耑匹配%功率%微波單片集成電路%單刀單擲%PIN二極管%插入損耗
단단필배%공솔%미파단편집성전로%단도단척%PIN이겁관%삽입손모
采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线.该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构.工作频率8～10 GHz,整个带内插入损耗小于0.7 dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9 GHz点频下测得1 dB压缩点输入功率大于31 dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5 V/-5 V供电,在+5 V工作条件下,电流20 mA.该芯片面积为2.0 mm×1.4 mm.
採用PIN二極管工藝技術,設計、製作瞭一種微波單耑匹配式PIN單刀單擲功率開關芯片,併給齣瞭詳細測試麯線.該開關由四級PIN二極管組成,採用單耑匹配結構.工作頻率8～10 GHz,整箇帶內插入損耗小于0.7 dB,輸齣耑口駐波比小于1.4:1,輸入耑口開關態駐波比均小于1.4:1,在9 GHz點頻下測得1 dB壓縮點輸入功率大于31 dBm,芯片內部集成偏置電路,採用+5 V/-5 V供電,在+5 V工作條件下,電流20 mA.該芯片麵積為2.0 mm×1.4 mm.
채용PIN이겁관공예기술,설계、제작료일충미파단단필배식PIN단도단척공솔개관심편,병급출료상세측시곡선.해개관유사급PIN이겁관조성,채용단단필배결구.공작빈솔8～10 GHz,정개대내삽입손모소우0.7 dB,수출단구주파비소우1.4:1,수입단구개관태주파비균소우1.4:1,재9 GHz점빈하측득1 dB압축점수입공솔대우31 dBm,심편내부집성편치전로,채용+5 V/-5 V공전,재+5 V공작조건하,전류20 mA.해심편면적위2.0 mm×1.4 mm.
