甘肃科技
甘肅科技
감숙과기
GANSU SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
23期
39-41
,共3页
SiBn-1Nn及SiBn-1Nn+团簇%基态结构%能隙%Mulliken电荷布局
SiBn-1Nn及SiBn-1Nn+糰簇%基態結構%能隙%Mulliken電荷佈跼
SiBn-1Nn급SiBn-1Nn+단족%기태결구%능극%Mulliken전하포국
采用密度泛函理论中B3LYP方法和6-31G(d)基组,对SiBn-1Nn及SiBn-1Nn+(n≤6)团簇的所有可能构型进行了优化,得到相应的基态单环结构,进一步研究了基态结构的键角N-Si-N、绝热电离势、能隙、Mulliken电荷布局.
採用密度汎函理論中B3LYP方法和6-31G(d)基組,對SiBn-1Nn及SiBn-1Nn+(n≤6)糰簇的所有可能構型進行瞭優化,得到相應的基態單環結構,進一步研究瞭基態結構的鍵角N-Si-N、絕熱電離勢、能隙、Mulliken電荷佈跼.
채용밀도범함이론중B3LYP방법화6-31G(d)기조,대SiBn-1Nn급SiBn-1Nn+(n≤6)단족적소유가능구형진행료우화,득도상응적기태단배결구,진일보연구료기태결구적건각N-Si-N、절열전리세、능극、Mulliken전하포국.
