强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2004年
4期
457-460
,共4页
质子%GaAs%探测器%光电流%暗电流
質子%GaAs%探測器%光電流%暗電流
질자%GaAs%탐측기%광전류%암전류
对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化.结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显.对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况.
對用能量為7.5MeV和20MeV,註量為1011～1013cm-2的質子輻照後的砷化鎵材料製作的光電導探測器的光電流和暗電流進行瞭測試,併由此推得電導率的變化.結果錶明,經過能量為7.5MeV的質子改性後的砷化鎵探測器相對于未改性的附加光電導率Δσ減少,而且隨著輻照註量的增加而越小,而對于先用能量為20MeV質子輻照後再用能量為7.5MeV的質子輻照的砷化鎵材料製作的探測器,其附加光電導率Δσ的減少則更為明顯.對上述現象進行瞭分析,併根據其相應關繫預測瞭該種探測器的響應時間、靈敏度、拖尾現象及受X射線激髮的輸齣脈遲的後延的變化情況.
대용능량위7.5MeV화20MeV,주량위1011～1013cm-2적질자복조후적신화가재료제작적광전도탐측기적광전류화암전류진행료측시,병유차추득전도솔적변화.결과표명,경과능량위7.5MeV적질자개성후적신화가탐측기상대우미개성적부가광전도솔Δσ감소,이차수착복조주량적증가이월소,이대우선용능량위20MeV질자복조후재용능량위7.5MeV적질자복조적신화가재료제작적탐측기,기부가광전도솔Δσ적감소칙경위명현.대상술현상진행료분석,병근거기상응관계예측료해충탐측기적향응시간、령민도、타미현상급수X사선격발적수출맥충적후연적변화정황.
