微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2005年
z1期
104-106
,共3页
CMOS%压控振荡器(VCO)%MOS变容管
CMOS%壓控振盪器(VCO)%MOS變容管
CMOS%압공진탕기(VCO)%MOS변용관
基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管,实现了一工作于2.4GHz的全集成压控振荡器(VCO).测试结果表明,采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围.在2.5V工作电压下,控制电压从0～2.2V,VCO的频率调节范围为2.210～2.484GHz,在2.4GHz时相位噪声为-105dBc/Hz@600kHz,输出功率为-7.55dBm,电流损耗为7mA.芯片面积约为0.35mm2.
基于TSMC 0.25μm CMOS工藝,將一箇普通MOS管改進為工作在積纍區的MOS變容管,實現瞭一工作于2.4GHz的全集成壓控振盪器(VCO).測試結果錶明,採用積纍型MOS變容管的VCO具有較大的調諧範圍.在2.5V工作電壓下,控製電壓從0～2.2V,VCO的頻率調節範圍為2.210～2.484GHz,在2.4GHz時相位譟聲為-105dBc/Hz@600kHz,輸齣功率為-7.55dBm,電流損耗為7mA.芯片麵積約為0.35mm2.
기우TSMC 0.25μm CMOS공예,장일개보통MOS관개진위공작재적루구적MOS변용관,실현료일공작우2.4GHz적전집성압공진탕기(VCO).측시결과표명,채용적루형MOS변용관적VCO구유교대적조해범위.재2.5V공작전압하,공제전압종0～2.2V,VCO적빈솔조절범위위2.210～2.484GHz,재2.4GHz시상위조성위-105dBc/Hz@600kHz,수출공솔위-7.55dBm,전류손모위7mA.심편면적약위0.35mm2.
