光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
2期
88-90
,共3页
肖田%林明通%陈国荣%杨云霞%徐毅%陈晨曦%楼均辉
肖田%林明通%陳國榮%楊雲霞%徐毅%陳晨晞%樓均輝
초전%림명통%진국영%양운하%서의%진신희%루균휘
薄膜电致发光器件%不对称绝缘层%阈值电压%L-V曲线
薄膜電緻髮光器件%不對稱絕緣層%閾值電壓%L-V麯線
박막전치발광기건%불대칭절연층%역치전압%L-V곡선
非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构.成功制备了一批ZnS:Mn器件,其下介质层为厚100～200 nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600～1 100 nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜.发现以ST/Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L-V曲线,以HfO2/Ta2O5/Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性.
非對稱絕緣層無機EL顯示器件是一種新穎的器件結構.成功製備瞭一批ZnS:Mn器件,其下介質層為厚100～200 nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介質層為厚600～1 100 nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜.髮現以ST/Ta2O5為上介質層的器件具有適噹的閾值電壓、較高的L50和較陡的L-V麯線,以HfO2/Ta2O5/Al2O3為上介質層的器件具有較高的可靠性.
비대칭절연층무궤EL현시기건시일충신영적기건결구.성공제비료일비ZnS:Mn기건,기하개질층위후100～200 nm적SrTiO3(ST)혹Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)혹Ta2O5박막,상개질층위후600～1 100 nm적Ta2O5혹ST/Ta2O5혹HfO2/Ta2O5/Al2O3박막.발현이ST/Ta2O5위상개질층적기건구유괄당적역치전압、교고적L50화교두적L-V곡선,이HfO2/Ta2O5/Al2O3위상개질층적기건구유교고적가고성.
